W Korei Południowej rozpoczął się wyścig zbrojeń na rynku pamięci NAND. Samsung twierdzi, że wyprzedzi SK hynix w przypadku kości 300-warstwowych.
W zeszłym tygodniu informowaliśmy Was o śmiałych zapowiedziach SK hynix, które dotyczyły 321-warstwowcyh kości 3D TLC NAND. Wygląda jednak na to, że to nie jedyny producent, które chce przebić barierę 300 warstw. Tym razem padło na Samsunga, który twierdzi, że ich rozwiązanie będzie dostępne wcześniej.
Pierwsza z koreańskich firm zapowiedziała dostępność swojego rozwiązania w 2025 roku. Samsung jednak twierdzi, że ich chipy trafią do produkcji znacznie wcześniej - już w 2024 roku. Mowa o kościach typu V-NAND, czyli po prostu 3D NAND. Dostępne będą dwie najpopularniejsze technologie czyli TLC i QLC.
Aktualnie najbardziej zaawansowanymi kośćmi V-NAND od Samsunga są układy 236-warstwowe. To o cztery warstwy więcej niż u amerykańskiego Microna czy chińskiego YMTC, ale o dwie mniej niż u SK hynix.
Co ciekawe Samsung w swoich 300-warstowywch pamięciach chce postawić na konstrukcję składającą się z dwóch stosów, co oznaczałoby aż 150 warstw per stos. To bardzo ryzykowne podejście, które może odbić się negatywnie na uzysku. SK hynix ma plan korzystać z bezpieczniejszej budowy opartej o trzy stosy.
Opisywane kości pamięci od Samsunga i SK hynix będą napędzać najwydajniejsze, ale i najdroższe SSD na rynku. Jeśli faktycznie pojawią się w masowej produkcji w 2024 roku to zobaczymy je jeszcze w nośnikach PCIe 5.0 x4.
Zobacz: BIOSTAR przygotował tanie płyty główne dla AMD Ryzen 7000
Zobacz: Ideał na grilla? LG pokazało telewizor w walizce
Źródło zdjęć: Samsung
Źródło tekstu: Seoul Economic Daily, DigiTimes, oprac. własne
