Chociaż na rynku nośników półprzewodnikowych mamy całe zatrzęsienie firm, to większość z nich korzysta z podzespołów od tych samych producentów. Zarówno gdy mowa o kontrolerach, jak i pamięciach NAND. Dominują tutaj firmy pokroju Phison i Silicon Motion oraz Micron, Kioxia, Samsung i SK hynix.
Aktualnie w przypadku kości pamięci prym wiedzie Micron, który dostarcza 232-warstwowe 3D TLC NAND dla SSD PCIe 5.0 x4. Konkurencja jednak drepcze im po piętach, a Japończycy mają ambitne plany.
Jak donosi redakcja Xtech Nikkei, Hidefumi Miyajima (CTO w Kioxii) twierdzi, ze firma rozpocznie masową produkcję 1000-warstowych pamięci 3D NAND do 2031 roku. Powiedziane to zostało podczas wystąpienia na Uniwersytecie Miejskim w Tokio, gdzie omawiana była przyszłość i wyzwania branży SSD.
Zwiększanie liczby aktywnych warstw w kościach pamięci jest obecnie najlepszym sposobem na zwiększanie gęstości zapisu. Oznacza to pojemniejsze i/lub tańsze nośniki półprzewodnikowe. Aktualnie skok obserwowany w branży jest średnio co 1,5 - 2 lata i wymaga zaawansowanego R&D oraz często nowych materiałów.
Najnowocześniejsze pamięci Kioxii to 8. generacja z 218 warstwami, która korzysta z architektury CBA i wprowadzona została w marcu 2023. Japończycy muszą więc zaoferować prawie 5x więcej warstw w zaledwie 7 lat. Nie będzie to łatwe zadanie, ale najwyraźniej możliwe. Zwłaszcza, że południowokoreański Samsung również jest pewien osiągnięcia 1000-warstwowych kości w bliżej nieokreślonej przyszłości.
Zobacz: Intel Lunar Lake. Tak wygląda pierwszy procesor nowej generacji
Zobacz: Genesis Toron 301, czyli wyjątkowo lekkie i tanie słuchawki
Źródło zdjęć: Telepolis / Przemysław Banasiak, CNN/Thomas Samson/AFP
Źródło tekstu: Xtech Nikkei, oprac. własne
