Z miesiąca na miesiąc pamięci RAM DDR5 stają się coraz wydajniejsze. Tym razem swoim najnowszym osiągnięciem chwali się Samsung.
Moduły RAM DDR5 wkroczyły pod domowe strzechy pod koniec ubiegłego roku za sprawą procesorów Intel Alder Lake. Na odpowiedź ze strony AMD musieliśmy czekać długo - niemal równy rok, ale seria Ryzen 7000 oraz dedykowane im płyty główne również wspierają pamięci nowej generacji.
Standard DDR5 względem DDR4 oferuje wyższe taktowania i niższe napięcia. Przekłada się to na większą wydajność w grach i programach oraz niższy pobór mocy, a więc dłuższy czas pracy na jednym ładowaniu. Jednak nawet pamięci DDR5 nie pokazały jeszcze pełni swoich możliwości i cały czas są ulepszane.
Południowokoreański czebol w postaci Samsunga pochwalił się właśnie swoim nowym osiągnięciem. Mowa o 16-giabitowych (Gb) pamięciach DDR5 DRAM, które stworzono z użyciem nowoczesnej litografii 12 nm. Wszystko dzięki technologii EUV, a wisienką na torcie jest uzysk większy o 20% per wafel krzemowy.
Koreańczycy obiecują wydajność na poziomie 7,2 Gbps. Prócz tego twierdzą, że pobór mocy nowych modułów będzie do 23% mniejszy, co docenią zwłaszcza podmioty takie jak centra danych i systemy napędzane przez AI. Sprawdzono i potwierdzono również pełną kompatybilność nowych pamięci z architekturą AMD Zen.
Zobacz: Intel z kolejnymi rekordami świata. Przekroczono barierę 9 GHz
Zobacz: Tak wygląda pierwszy autorski model GeForce RTX 4070 Ti
Źródło zdjęć: Samsung
Źródło tekstu: Samsung, oprac. własne
