Pamięci HBM są nieodzownym elementem najwydajniejszych akceleratorów sztucznej inteligencji na rynku. Zarówno, gdy mowa o układach AMD, NVIDII, jak i Intela. Oferują one znacznie wyższe transfery i większe pojemności niż klasyczne kości GDDR montowane w konsumenckich kartach graficznych.
Wiodącymi producentami jest amerykański Micron i południowokoreańskie SK hynix oraz Samsung. A tak się składa, że ostatni z wymienionych planuje wprowadzić rozwiązania nowej generacji jeszcze w tym roku.
Według najnowszych informacji, Samsung ma osiągnąć tzw. "tape-out" dla HBM4 do 4. kwartału 2024 roku. Oznacza to, że nowe pamięci będą miały sfinalizowane projekty i metodologię produkcji, a na rynek trafią już w przyszłym roku. Lada moment rozpocznie się również etap wysyłania próbek do partnerów.
Jeśli doniesienia się potwierdzą, zastosowana zostanie własna litografia 4 nm w połączeniu z technologią DRAM 1c. Podobne plany wydawnicze ma bezpośrednia konkurencja. W tym samym czasie Chiny odcięte od zachodnich technologii są dopiero na etapie produkcji starszych i dużo wolniejszych pamięci HBM2.
HBM4 ma się znaleźć zarówno w serii NVIDIA Rubin, jak i AMD Instict MI400. Na chwilę obecną nie wiadomo jednak, który producent zostanie liderem pamięci nowej generacji. Liczyć się będzie nie tylko kto jako pierwszy je dostarczy, ale również jaki będzie uzysk (a więc i cena) oraz wydajność.
Zobacz: ZOTAC przygotował kartę graficzną dla fanów małpiego króla
Zobacz: Raspberry Pi 5 debiutuje w nowej, tańszej wersji
Źródło zdjęć: NVIDIA
Źródło tekstu: Wccftech, oprac. własne
