Samsung ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji przenośnej pamięci DRAM LPDDR5 o pojemności 12 gigabitów (12 Gb), zoptymalizowanej pod kątem obsługi funkcji 5G oraz AI w przyszłych telefonach klasy premium.
Nowa pamięć mobilna pojawi się pięć miesięcy po ogłoszeniu masowej produkcji modułów zawierających 12 GB pamięci LPDDR4X. Samsung chce również rozpocząć masową produkcję 12-gigabajtowych (GB) pakietów LPDDR5 jeszcze w tym miesiącu, z których każdy będzie zawierał osiem chipów 12 Gb. To odpowiedź koreańskiego producenta na coraz wyższą wydajność smartfonów i coraz większe zapotrzebowanie na dużą pojemności pamięci RAM w urządzeniach premium.
Zobacz: Nowy patent Samsunga. Rozsuwany Galaxy S11?
- Dzięki masowej produkcji 12 GB pamięci LPDDR5 opartej na najnowszym procesie litograficznym 10 nm, z radością wspieramy terminowe wprowadzanie flagowych smartfonów 5G dla naszych klientów na całym świecie. Samsung jest nadal zaangażowany w szybkie wprowadzanie technologii pamięci mobilnych nowej generacji, które zapewniają większą wydajność i większą pojemność, ponieważ nadal intensywnie rozwijamy rynek pamięci premium.
- powiedział Jung-bae Lee, dyrektor wykonawczy, wiceprezes ds. produktów i technologii DRAM, Samsung Electronics
Nowe chipy pamięci DRAM firmy Samsung wyróżniają się wysoką szybkością oraz energooszczędnością, dzięki czemu mogą umożliwić flagowym smartfonom nowej generacji pełne wykorzystanie możliwości 5G i AI, takich jak nagrywanie wideo w wysokiej rozdzielczości i uczenie maszynowe, a jednocześnie znacznie wydłużyć żywotność baterii. Przy szybkości przesyłania danych wynoszącej 5500 Mb/s, pamięci LPDDR5 są około 1,3 razy szybsze niż poprzednia pamięć mobna (LPDDR4X, 4266 Mb/s), którą można znaleźć we współczesnych smartfonach z najwyższej półki. Przy wykorzystaniu pakietu 12 GB LPDDR5, przesłanie 44 GB danych lub około 12 filmów FullHD (3,7 GB każdy) zajmuje zaledwie sekundę. Nowy układ wykorzystuje także do 30% mniej energii niż jego poprzednik.
Zobacz: Nokia 2 bez aktualizacji do Androida 9.0 Pie. Za słaby procesor, za mało pamięci RAM
Aby zarządzać zdolnością produkcyjną z większą elastycznością, Samsung rozważa przeniesienie od przyszłego roku produkcji pamięci LPDDR5 o pojemności 12 Gb do kampusu Pyeongtaek (Korea), w zależności od zapotrzebowania klientów globalnych. Po wprowadzeniu chipów mobilnej pamięci DRAM LPDDR5 12 Gb, Samsung zamierza w przyszłym roku opracować układy LPDDR5 o pojemności 16 Gb. Ma to przynieść wzrost pozycji Samsunga na globalnym rynku pamięci.
A oto, jak wyglądało wprowadzanie nowych chipów pamięci przez Samsunga w ostatnich latach (tabela):
| Data | Pojemność | Chip pamięci DRAM |
| Lipiec 2019 | 12 GB | 10 nm, 12 Gb, LPDDR5, 5500 Mb/s |
| Czerwiec 2019 | 6 GB | 10 nm, 12 Gb, LPDDR5, 5500 Mb/s |
| 2019 | 12 GB | 10 nm, 16 Gb, LPDDR4X, 4266 Mb/s |
| Kwiecień 2018 | 8 GB (testy) | 10nm, 8 Gb, LPDDR5, 6400 Mb/s |
| Wrzesień 2016 | 8 GB | 10 nm, 16 Gb, LPDDR4X, 4266 Mb/s |
| 2015 | 6 GB | 20 nm, 12 Gb, LPDDR4, 4266 Mb/s |
| Grudzień 2014 | 4 GB | 20 nm, 8 Gb, LPDDR4, 3200 Mb/s |
| Wrzesień 2014 | 3 GB | 20 nm, 6 Gb, LPDDR3, 2133 Mb/s |
| Listopad 2013 | 3 GB | 20 nm, 6 Gb, LPDDR3, 2133 Mb/s |
| Lipiec 2013 | 3 GB | 20 nm, 4 Gb, LPDDR3, 2133 Mb/s |
| Kwiecień 2013 | 2 GB | 20 nm, 4 Gb, LPDDR3, 2133 Mb/s |
| Sierpień 2012 | 2 GB | 30 nm, 4 Gb, LPDDR3, 1600 Mb/s |
| 2011 | 1 GB / 2 GB | 30 nm, 4 Gb, LPDDR2, 1066 Mb/s |
| 2010 | 512 MB | MDDR, 40 nm, 2 Gb, 400 Mb/s |
| 2009 | 256 MB | MDDR, 50 nm, 1 Gb, 400 Mb/s |
Zobacz: Przyszłość okularów AR Apple'a niepewna, Samsung zgłasza wniosek patentowy ze swoimi
Wszystkich głosujących: 841
Źródło ankiety: Samsung rozpoczyna masową produkcję pamięci RAM LPDDR5 12Gb dla telefonów premium
Źródło tekstu: Samsung
