Biały Dom ogłosił pierwsze trzy ośrodki badawczo-rozwojowe, do który popłynie strumień pieniędzy na badania półprzewodników w ramach ustawy CHIPS and Science Act. Celem jest pomoc w „zlikwidowaniu luki między badaniami a przemysłem”.
Ogłoszenie zostało współautoryzowane przez Departament Handlu USA oraz Natcast, operatora Krajowego Centrum Technologii Półprzewodnikowych (NTSC). Sekretarz Handlu Gina Raimondo stwierdziła, że aby USA odzyskały pozycję lidera w branży półprzewodników, nie wystarczy inwestować tylko w zdolności produkcyjne, musimy również wzmocnić nasz ekosystem badawczo-rozwojowy.
Pozwolić mają na to planowane ośrodki R&D. Ustawa przewiduje do 11 mld dolarów na badania i rozwój, pierwsza transza dofinansowania może sięgnąć zaś 300 mln dolarów.
Ośrodek Prototypowania i Zaawansowanego Pakowania NSTC będzie oferować najnowocześniejsze usługi produkcji i pakowania na 300 mm waflach. Administracyjny i Projektowy Ośrodek NSTC będzie wielofunkcyjnym centrum dla kluczowych operacji NSTC, pozwoli również na zaawansowane badania nad półprzewodnikami w zakresie projektowania chipów, automatyzacji projektowania elektronicznego, architektury chipów i systemów oraz bezpieczeństwa sprzętowego. Z kolei Centrum EUV NSTC zapewni członkom NSTC dostęp do technologii EUV, która jest niezbędna dla szerokiego zakresu badań.
Co warto dodać, ustawa CHIPS and Science Act przyniosła też rządowe dofinansowanie liczone w miliardach dolarów dla producentów półprzewodników, takich jak Intel, Samsung i TSMC. Choć amerykański Micron wnosi istotny wkład w rozwój osiągnięć w dziedzinie półprzewodników, to tajwański TSMC i koreański Samsung są obecnie liderami.
Nowe centra badawcze być może pozwolą Amerykanom na spicie trochę więcej z krzemowej śmietanki. Muszą jednak najpierw powstać. 15 lipca ruszają prace nad planowaniem ich lokalizacji, a wypowiedzieć mogą się organizacje rozwoju ekonomicznego wszystkich 56 stanów, terytoriów i Dystryktu Kolumbii.
Źródło zdjęć: Przemysław Banasiak / Telepolis
Źródło tekstu: Tom's Hardware, oprac. wł
