Samsung jako pierwszy w branży ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji modułów pamięci DRAM o pojemności 3 GB i niskim poborze energii (LPDDR3). Nowe moduły dedykowane są urządzeniom mobilnym.
Kości DRAM Samsung 3 GB LPDDR3 zawierają sześć najmniejszych na rynku, 4-gigabitowych (Gb) chipów LPDDR3 wykonanych w 20-nanometrowym procesie technologicznym, ułożonych jako symetryczna struktura dwóch zestawów po trzy chipy, przy grubości pakietu zaledwie 0,8 mm. To charakteryzujące się najwyższą gęstością zapisu danych rozwiązanie, przeznaczone do zastosowania w smartfonach najnowszej generacji, pozwoli zastąpić powszechnie stosowane w urządzeniach mobilnych moduły pamięci 2 GB.
Ultra-cienkie moduły pamięci Samsung umożliwią projektowanie cieńszych smartfonów, jednocześnie pozostawiając więcej miejsca na baterię. Dzięki ulepszonym parametrom pamięci DRAM użytkownicy docenią płynne odtwarzanie wysokiej jakości filmów Full HD, a także szybsze działanie urządzeń podczas pracy wielozadaniowej. Nowy moduł LPDDR3 przyspiesza pobieranie danych i jest w stanie zapewnić pełne wsparcie usług LTE-A (LTE Advanced) - mobilnego standardu telekomunikacyjnego następnej generacji.
Pamięć Samsung 3GB LPDDR3 DRAM łączy się z procesorem aplikacji mobilnych poprzez dwa symetryczne kanały transmisji danych, z których każdy połączony jest z częścią pamięci o pojemności 1,5GB. Asymetryczny przepływ danych może powodować przy określonych ustawieniach gwałtowne spadki wydajności, natomiast dzięki strukturze symetrycznej takie ryzyko nie występuje.
Za sprawą nowego modułu 3GB LPDDR3 DRAM Samsung zyskał najszerszą ofertę mobilnych pamięci DRAM (1 GB, 2 GB i 3 GB), w tym pierwszą w branży mobilną pamięć DRAM klasy 20 nm.
Źródło tekstu: Samsung, wł
