Samsung pochwalił się dzisiaj najnowszą, bardzo szybka pamięcią UFS 4.0, która znajdzie swoje przeznaczenie w smartfonach 5G. Producent obiecuje dwukrotne przyspieszenie w porównaniu do obecnej generacji pamięci.
Pamięć wewnętrzna w smartfonach to jeden z najważniejszych czynników, który wpływa na ich ogólną wydajność. Po epoce eMMC nastał czas pamięci UFS (Universal Flash Storage), która dziś najczęściej stosowana jest w standardzie 2.1, 2.2 lub we flagowcach UFS 3.1. Teraz najlepsze smartfony będą mogły osiągnąć większe prędkości odczytu i zapisu danych dzięki UFS 4.0.
Zobacz: Snapdragon 7 Gen 1 coraz bliżej. Oto specyfikacja
Stworzona przez Samsung Semiconductor UFS 4.0 bazuje na pamięci V-NAND 7. generacji i pozwoli na osiągnięcie prędkości odczytu sekwencyjnego do 4200 MB/s oraz zapisu do 2800 MB/s, do 23,2 Gbps na linię. Dla porównania standard UFS 3.1 pozwala na osiągnięcie prędkości odczytu i zapisu odpowiednio 2100 MB/s i 1200 MB/s, więc nowe rozwiązanie oznacza co najmniej dwukrotne przyspieszenie.
Producent chwali się także lepszym zarządzaniem energią, co wyraża się odczytem 6 MB/s na jeden mA – oznacza to oszczędność o 46% w porównaniu do UFS 3.1. Maksymalny rozmiar nowej pamięci wyniesie 1 TB, a rozmiary kości to 11 x 13 x 1 mm.
Samsung przewiduje, że pamięć UFS 4.0 znajdzie swoje zastosowanie w smartfonach 5G, które wraz z rozwojem technologii będą przetwarzać coraz większe ilości danych w coraz krótszym czasie. Rozwiązanie trafi również na rynek samochodów autonomicznych, do sprzętu AR i VR.
Samsung nie zdradził, jakie smartfony otrzymają jako pierwsze pamięci w nowym standardzie, jednak mówi się o rozkładanych Galaxy Z Fold4 i Galaxy Z Flip4, zapewne też UFS 4.0 trafi do serii Galaxy S23. Masowa produkcja pamięci UFS 4.0 ruszy w trzecim kwartale roku.
Zobacz: Xiaomi znowu to zrobiło! Stworzyło telefon idealny... i go popsuło
Zobacz: Realme GT2 Pro – inne flagowce mają się czego obawiać (test)
Źródło zdjęć: Telepolis.pl, Samsung
Źródło tekstu: wł.
