DAJ CYNK

NVIDIA szykuje kartę graficzną z 120 GB pamięci VRAM

Przemysław Banasiak

Sprzęt

NVIDIA szykuje kartę graficzną z 120 GB pamięci VRAM

Nadciąga potworny układ graficzny od NVIDII. Zaoferuje on szalenie pojemną i wydajną pamięć VRAM. A wszystko to w akompaniamencie najnowszych technologii.

 

W świecie nowych technologii od dawna widoczne są dwa główne trendy. I nie mamy tutaj na myśli RGB LED. Procesory oferują coraz więcej rdzeni i wątków oraz wyższe taktowania. Również karty graficzne mogą pochwalić się wyższymi zegarami, a prócz tego otrzymują coraz szybsze i pojemniejsze pamięci VRAM.

NVIDIA zaoferuje przepustowość do 3 TB/s

Jeszcze kilka lat temu od 2 do 4 GB było standardem i tylko najdroższe modele mogły pochwalić się 6 GB. Generację temu było to do 24 GB. Wygląda jednak na to, że NVIDIA chce podnieść poprzeczkę jeszcze wyżej.

W chińskiej części internetu pojawiło się ciekawe zdjęcie. Ukazuje ono windowsowy menadżer urządzeń, gdzie widać kilka kart graficznych. Mowa o czterech GeForce RTX 3090 Ti, jednej próbce inżynieryjnej karty graficznej RTX 4090 oraz dwóch układach - NVIDIA Hopper A100 i H110.

Na uwagę zasługuje ostatni z wymienionych. Dysponuje on rdzeniem NVIDIA GH100 w litografii TSMC 4N wyposażonym w 16 986 rdzeni CUDA i 528 jednostek Tensor. Całość doprawiona interfejsem PCI Express 5.0.

NVIDIA szykuje kartę graficzną z 120 GB pamięci VRAM

Największe wrażenie robi jednak 120 GB pamięci VRAM typu HBM2e w połączeniu z 5120-bitową szyną danych. Daje nam to zawrotną przepustowość na poziomie do 3 TB/s. Do tej pory takie osiągi zapewniał tylko układ NVIDIA H100 SXM z własnym, niestandardowym złączem.

Oczywiście NVIDIA GH100 120 GB to nie jest karta graficzna skierowana do typowego śmiertelnika. Mowa o bardzo drogim i wyspecjalizowanym produkcie, który trafi do centrów danych.

Zobacz: Chcesz jako pierwszy mieć GeForce RTX 4090? Dopłać 5000 złotych!
Zobacz: Napraw Intel Core i9 za 30 zł. To serio działa!

Chcesz być na bieżąco? Obserwuj nas na Google News

Źródło zdjęć: NVIDIA, ss-s;

Źródło tekstu: Wccftech, oprac. własne