Postęp technologiczny na rynku nośników półprzewodnikowych nie zwalnia. Amerykański gigant pochwalił się 232-warstwowymi kośćmi NAND.
Nośniki półprzewodnikowe to technologia, która zmieniła życie wielu osób. Znajdziemy je już zarówno w komputerach stacjonarnych, jak i laptopach oraz konsolach. Nawet tych tańszych. Wysokie prędkości odczytu i zapisu oraz niskie czasy dostępu w SSD wyraźnie poprawiają komfort pracy.
Większość nośników półprzewodnikowych składa się z kości pamięci, kontrolera oraz ewentualnej pamięci podręcznej DRAM. Producentów zarówno kości, jak i kontrolerów, które wykorzystują firmy takie jak ADATA, MSI, PNY i inni na rynku jest zaledwie kilku. Jednym z nich jest amerykański Micron.
Micron w ramach ostatniego spotkania z inwestorami zaktualizował swoją mapę wydawniczą. Najważniejszy jej punkt to pokazanie światu nowych, 232-warstwowych kości pamięci nazywanych CuA (CMOS Under Array). Jest to najbardziej zaawansowane rozwiązanie tego typu na świecie.
Osiągnięto to za sprawą pary dwóch stosów TLC, a każda kość ma pojemność 1 Tb czyli 128 GB. Nie ma więc tutaj skoku pojemności względem rozwiązań konkurencji. Micron jednak mówi o poprawie przepustowości oraz zmniejszeniu poboru mocy. Ma się to też poprawiać z kolejnymi partiami.
Przed przejściem na kości 300- i 400-warstwowe zobaczymy jeszcze inne rozwiązania 2**-warstwowe. Pamięci 300-warstwowe są już w fazie rozwoju strukturalnego, natomiast produkty 400-warstwowe są nadal na bardzo wczesnym etapie badań. Micron planuje też dalszy rozwój pamięci QLC.
Masowa produkcja opisywanych wcześniej 232-warstwowych kości pamięci NAND ma ruszyć pod koniec tego roku. Tym samym nośników półprzewodnikowych je wykorzystujących należy spodziewać się najwcześniej w 2023 roku i to prawdopodobnie bliżej drugiego kwartału.
Zobacz: Test Seagate IronWolf Pro NAS 20 TB: Dysk, który zmieści pół internetu
Zobacz: Wielki test dysków SSD PCIe 4.0! Ranking na maj 2022
Źródło zdjęć: Micron, Shutterstock
Źródło tekstu: Micron, oprac. własne
