DRAM+ ma połączyć mocne strony pamięci RAM i SSD
Niemcy szykują dla nas ciekawą technologię, która może na nowo pobudzić europejski rynek produkcji półprzewodników. Pytanie czy się uda?
Ferroelectric Memory Co. ogłosiło współpracę z Neumondą, której celem jest przywrócenie w Niemczech produkcji tzw. DRAM+. Ostatnie działania nad tego typu pamięciami na terenie Europy prowadziły firmy Infineon oraz Qimonda, jednak zostały one wstrzymane ze względu na nieopłacalność wytwarzania układów na Starym Kontynencie. Nowe przedsięwzięcie koncentruje się jednak na nieulotnej pamięci FeRAM - rozwiązaniu przeznaczonym do zastosowań w różnych sektorach przemysłu.
To krok w kierunku ożywienia europejskiego przemysłu
FMC specjalizuje się w tworzeniu pamięci bazujących na hafnie (a dokładniej HfO₂), dzięki której uzyskano DRAM+ zdolne do zachowywania danych bez zasilania. Technologia ta zastępuje typowy kondensator w DRAM nieulotną wersją, zapewniając wysoką wydajność, a jednocześnie większą oszczędność energii. Według przedstawicieli FMC tego rodzaju pamięć może znaleźć zastosowanie w urządzeniach konsumenckich, systemach AI, motoryzacji, sektorze medycznym czy przemyśle.
Starsze rozwiązania typu FeRAM - oparte głównie na warstwie zawierającej tytanian cyrkonu ołowiu - pozwalały na uzyskanie jedynie niewielkich pojemności, sięgających zwykle kilku megabajtów. Trudność z integracją w standardowych procesach CMOS i gorsza skalowalność przekładały się na dużą powierzchnię komórek, co ograniczało zastosowania tej technologii w zestawieniu z DRAM czy NAND.
Jak wyjaśnił Thomas Rueckes, dyrektor generalny Ferroelectric Memory Co., firmie zależy na rozwoju takiej pamięci w Europie i współpraca z Neumondą ma w tym znacznie pomóc. Neumonda ma zapewnić m.in. wsparcie doradcze oraz dostęp do zaawansowanych i energooszczędnych platform testowych Rhinoe, Octopus oraz Raptor.
Przedstawiciele Neumondy podkreślają, że rozwiązania FMC będą dobrym sprawdzianem możliwości ich urządzeń testujących, a jednocześnie stanowią krok w kierunku ponownego rozwoju europejskich struktur półprzewodnikowych. Cel jest więc bardzo ambitny.
