Pokazano nową generację pamięci. Są o 33% wydajniejsze
Niedługo na rynku powinny pojawić się jeszcze wydajniejsze i bardziej energooszczędne nośniki półprzewodnikowe. Wszystko dzięki Japończykom.
W trakcie konferencji ISSCC 2025 firma Kioxia, we współpracy z Sandisk, zaprezentowała swoją najnowszą, 10. generację pamięci 3D NAND. Rozwiązanie to ma zapewnić do 33% wyższą wydajność, większą gęstość zapisu danych, wyższe prędkości interfejsu oraz lepszą efektywność energetyczną w porównaniu do aktualnie dostępnych technologii.
Nowe japońskie 3D NAND zaoferuje 322 warstw
Jednym z głównych elementów nowej technologii jest architektura CBA, polegająca na połączeniu oddzielnie wytwarzanych wafli CMOS i wafli macierzy komórek pamięci. Choć CBA pojawiło się już w 8. generacji, kluczową nowością jest zastosowanie nowego standardu interfejsu, Toggle DDR6.0, umożliwiającego osiągnięcie przepustowości 4,8 GB/s.
Część postępu wynika również z faktu zwiększenia liczby warstw - z 218 do 322. Choć to wciąż daleko od ambitnego planu firmy, jakim jest osiągnięcie 1000 warstw do 2027 roku, to najnowsza wersja pamięci cechuje się imponującym wzrostem gęstości bitowej aż o 59%.
Istotną rolę w udoskonaleniu efektywności energetycznej odgrywa także technologia Power Isolated Low-Tapped Termination (PI-LTT), redukująca zużycie energii przy sygnale wejścia o 10%, a przy sygnale wyjścia aż o 34%. Według Japończyków to odpowiedź na rosnące zapotrzebowanie energetyczne związane z rozwojem sztucznej inteligencji.
Firmy Kioxia i Sandisk wspomniały również o 9. generacji 3D NAND, ale tutaj nie podano żadnych twardych liczb. Ogólnikowo powiedziano, że kości te pozwolą dostarczać "oszczędne, wydajne i energooszczędne produkty". Nie zdradzono niestety kiedy SSD z nowymi pamięciami trafią na rynek.
