Samsung zmienia plany. Nowe pamięci dopiero w 2026 roku
Pojemne i wydajne nośniki półprzewodnikowe trafią na rynek później niż zakładano. Przynajmniej te na bazie układów Samsunga, bowiem Koreańczycy mają opóźnienia.
W sklepach z elektroniką można znaleźć obecnie setki SSD pochodzących od dziesiątek różnych marek z całego świata. Jednak sporo z nich jest do siebie bliźniaczo podobna. Czemu? Producentów kości pamięci oraz kontrolerów jest garstka, a większość firm kupuje tylko gotowe elementy i składa je w całość.
SK hynix drepcze Samsungowi po piętach
Samsung to jeden z gigantów, który produkuje własne NAND. Koreańczycy jako pierwsi wprowadzili w 2013 roku rozwiązania z pionowo ułożonymi komórkami pamięci, a w tym roku debiutowały 286-warstwowe V-NAND 9. generacji. Jednak przekroczenie bariery 300 warstw okazuje się trudniejsze niż zakładano.
Rozwiązaniem tego problemu ma być V-NAND 10. generacji, które porzuca obecnie wykorzystywaną technologię CoP (Co-Packaged) na rzecz BV (Bonding Vertical). W dużym uproszczeniu obwody pamięci masowej i peryferyjne mają być wytwarzane na oddzielnych warstwach, a następnie pionowo łączone. Według deklaracji Samsunga ma to zwiększyć gęstość bitów o 60%, co przełoży się na poprawę wydajności.
Jak donosi Korea Economic Daily powołując się na swoje źródła, aktualny plan wydawniczy Samsunga zakłada wprowadzić przynajmniej 400-warstwowe pamięci do 2026 roku. Ma to zapewnić firmie wiodącą pozycję na rynku dostawców rozwiązań dla serwerowni skupiających się na pracy ze sztuczną inteligencją.
Brzmi dobrze, prawda? Nie do końca. Wcześniejsze plany przewidywały 430-warstwowe V-NAND już w 2025 roku, a więc nowe doniesienia sugerują wystąpienie problemów i opóźnień. Bezpośrednia konkurencja, czyli południowokoreańskie SK hynix, również pracuje nad 400-warstwowymi kośćmi NAND. Tutaj szacunki przewidują rozpoczęcie masowej produkcji pod koniec 2025 roku, a więc wprowadzenie już w 2026 roku.
