Samsung prezentuje nowe V-NAND. Nadciągają SSD 16 TB
Koreański czebol pochwalił się kolejnymi osiągnięciami. Tym razem pokazano możliwości nowych kości V-NAND, które oznaczają wzrost wydajności i pojemności dla nośników półprzewodnikowych.
Na konferencji ISSCC 2025 firma Samsung oficjalnie zaprezentowała swoją najnowszą, 10. generację pamięci V-NAND. Nowe układy oferują ponad 400 aktywnych warstw oraz imponującą przepustowość interfejsu na poziomie 5,6 GT/s, co znacząco podnosi poprzeczkę w dziedzinie wydajności SSD.
W teorii Koreańczycy są gotowi już na SSD PCIe 6.0 x4
Jednym z najważniejszych wyróżników jest architektura CoP z wykorzystaniem tzw. hybrid bonding, po raz pierwszy zastosowana w rozwiązaniach Koreańczyków. Dzięki temu firma oddziela układ peryferyjny od samej matrycy pamięci 3D NAND. Obie części powstają na osobnych waflach i są łączone dopiero na dalszym etapie produkcji.
Nowa pamięć Samsunga wykorzystuje układy typu 3D TLC o pojemności 1 Tb na kość i gęstości 28 Gb/mm2. W porównaniu z wariantem 3D QLC (1 Tb, 28,5 Gb/mm2), gęstość jest odrobinę niższa, jednak celem najnowszego rozwiązania wydaje się nie sama miniaturyzacja, a przede wszystkim znaczne zwiększenie wydajności oraz usprawnienie procesu produkcji.
Przy połączeniu wielu kości osiągalne stają się przepustowości pozwalające w pełni wykorzystać dostępne interfejsy SSD. Na przykład dziesięć takich układów jest wyczerpuje przepustowość PCIe 4.0 x4, a dwadzieścia PCIe 5.0 x4. Z kolei konfiguracja z 32 kośćmi może zbliżyć się do limitu PCIe 6.0 x4.
W praktyce oznacza to nie tylko znacznie wyższe osiągi, lecz także duże pojemności. Standardowy nośnik M.2 2280 najczęściej mieści 8 lub 16 kości, co pozwala uzyskać pojemność do 2 TB w pojedynczym pakiecie. Cztery takie pakiety na jednej stronie dysku to łącznie 8 TB, natomiast przy konstrukcji dwustronnej - aż 16 TB. W ostatnich latach Samsung nie decydował się jednak na szeroką dostępność dysków dwustronnych, ponieważ większość laptopów nie jest z nimi kompatybilna.
Niestety, nie podano jeszcze dokładnych terminów wprowadzenia V-NAND 10. generacji do masowej produkcji ani integracji w nowych SSD. Wygląda jednak na to, że kiedy Samsung zdecyduje się na komercyjne wdrożenie, możemy spodziewać się prawdziwego przełomu w wydajności i pojemności przyszłych rozwiązań pamięci masowej.
